IRLR120N 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：100V
连续漏极电流（I_D）：10A @ T_C=25℃（7.0A @ T_C=100℃）
脉冲漏极电流（I_DM）：35A
导通电阻：R_DS(on)≤185mΩ @ V_GS=10V
低栅压导通电阻：R_DS(on)≤265mΩ @ V_GS=4.5V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：1.0 ~ 2.0V（逻辑电平栅驱动）
总耗散功率（P_D）：48W @ T_C=25℃
完全雪崩额定，快速开关
封装：TO-252（DPAK）

IRLR120N 是一款 100V 逻辑电平单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装，具有 10A 的连续电流能力与 185mΩ 的低导通电阻，雪崩能量裕量充分、开关速度快，适用于直流电机、逆变器、开关电源、照明、负载开关及电池供电等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-252 (DPAK)	100	±16	10	35	48	≤185 mΩ	1.0~2.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	100	V
V_GS	栅源电压（连续）	±16	V
I_D	连续漏极电流 @ T_C=25℃	10	A
I_D	连续漏极电流 @ T_C=100℃	7.0	A
I_DM	脉冲漏极电流	35	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	48	W
T_J	工作结温与存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻	3.1	℃/W
R_θJA	结-环境热阻（PCB 安装）	50	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=6A	--	185	mΩ
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=4.5V	--	265	mΩ
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	1.0	2.0	V

应用

直流电机驱动直流电机（DC Motors）驱动应用。
逆变器逆变器（Inverters）应用。
开关电源开关电源（SMPS）应用。
负载开关负载开关（Load Switch）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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