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IRFS11N50A 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：500V
漏极电流（I_D）：11A @ T_C=25℃（脉冲 44A）
低导通电阻：R_DS(on)≤0.52Ω @ V_GS=10V，I_D=6.6A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
100% 雪崩测试，批量一致性高
D²PAK（TO-263）贴片封装，适合自动化生产

表面贴装 500V 功率 MOSFET，适用于开关电源与高压侧开关场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω/mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
D²PAK(TO-263)	N	500	±30	11	44	170	0.52Ω	2.0~4.0	Planar

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	11	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	44	A
P_D	总耗散功率 T_C=25℃	170	W
T_j	最高工作结温	-55~150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.75	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V; I_D=0.25mA	500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V; I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V; I_D=6.6A	--	0.52	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V; V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=500V; V_GS=0V	--	25	µA
I_DSS	零栅压漏电流（高温）	V_DS=400V; V_GS=0V; T_J=125℃	--	250	µA
V_SD	二极管正向压降	I_DR=11A; V_GS=0V	--	1.5	V

应用

开关电源（SMPS）500V 母线下的主开关管，D²PAK 适合高密度贴片布局。
不间断电源（UPS）逆变与充电回路中的功率开关。
高速功率开关需要较高开关频率、较低驱动损耗的场合。
功率因数校正Boost PFC 拓扑中的开关器件。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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