当前位置：首页 / 产品 / MOSFET 单管

IRFR9024 国产替代P-Channel MOSFET Transistor

P-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏-源击穿电压（V_(BR)DSS）：-60V（Min）
漏极电流（I_D）：-8.8A @ T_C=25℃
静态导通电阻：R_DS(on)=0.28Ω（Max）@ V_GS=-10V
栅-源电压（V_GS）：±20V
总耗散功率（P_D）：42W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.0℃/W
封装：TO-252（DPAK）

IRFR9024 是一款 P 沟道功率 MOSFET，具有 -60V 耐压与低导通电阻，开关速度快，适用于 DC-DC 转换器与开关型 PWM 控制器等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	P_D (W)	Structure
TO-252	Single-P	-60	±20	-8.8	-35	280	-2.0~-4.0	42	Silicon P-Ch

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	-60	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	-8.8	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-35	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	42	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-0.25mA	-60	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-60V；V_GS=0V	--	-100	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-5.3A	--	0.28	Ω
V_SD	正向导通电压	I_S=-8.8A；V_GS=0V	--	-6.3	V

应用

DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC/DC Converters）应用。
开关型 PWM 控制器开关型 PWM 控制器（Switching PWM Controllers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号