IRFR3707Z 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：30V
连续漏极电流（I_D）：56A @ T_C=25℃
脉冲漏极电流（I_DM）：220A
导通电阻：R_DS(on)≤9.5mΩ @ V_GS=10V
低栅压导通电阻：R_DS(on)≤12.5mΩ @ V_GS=4.5V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：1.35 ~ 2.25V
总耗散功率（P_D）：50W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，栅阻抗超低
封装：TO-252（DPAK）

IRFR3707Z 是一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装，具有 56A 的连续电流能力与 9.5mΩ 的低导通电阻，开关速度快、雪崩能量裕量充分，适用于高频同步降压变换器、DC-DC 变换器与工业/汽车电源控制等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-252 (DPAK)	30	±20	56	220	50	≤9.5 mΩ	1.35~2.25	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	30	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	连续漏极电流 @ T_C=25℃	56	A
I_DM	脉冲漏极电流（单脉冲）	220	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	最高工作结温	175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	3.0	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	110	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=15A	--	9.5	mΩ
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=4.5V	--	12.5	mΩ
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	1.35	2.25	V

应用

高频同步降压变换器高频同步降压变换器（High Frequency Synchronous Buck Converters）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC Converters）应用。
工业与汽车电源控制工业与汽车电源控制（Industrial / Automotive Power Control）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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