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IRFPS3810 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：100V
漏极电流（I_D）：170A @ T_C=25℃
导通电阻极低：R_DS(on)=9mΩ（Max）@ V_GS=10V
栅源电压（V_GS）：±30V
耗散功率（P_D）：580W @ T_C=25℃
工作结温高达 175℃
先进工艺，超低导通电阻，开关速度快
封装：TO-247 Plus（G-D-S）

IRFPS3810 是一款 100V / 170A N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 Plus 封装与先进沟槽工艺，导通电阻低至 9mΩ，兼具 175℃ 的高结温能力与快速开关特性，适用于开关电源、电机控制、逆变与同步整流等大电流高频场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)	Structure
TO-247 Plus	N	100	170	580	9	3.0~5.0	-55~175	Silicon N-MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	100	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	170	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	670	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	580	W
T_J	工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.26	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	100	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=100V；V_GS=0V	--	25	μA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=100A	--	9	mΩ
V_SD	二极管正向压降	I_S=100A；V_GS=0V	--	1.3	V

应用

开关电源大电流输出的开关电源主开关管。
电机控制电机驱动与变频调速的功率级。
逆变器DC-AC 逆变与 UPS 功率级。
同步整流低压大电流输出的同步整流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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