IRFP460A 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：500V
漏极电流（I_D）：20A @ T_C=25℃（T_C=100℃ 时 13A，脉冲 80A）
低导通电阻：R_DS(on)≤0.27Ω @ V_GS=10V，I_D=12A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V，V_GS 额定 ±30V
总耗散功率（P_D）：280W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，低栅极电荷，驱动简单
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.45℃/W
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IRFP460A 是一款 500V/20A N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 0.27Ω 的低导通电阻、280W 的耗散功率、±30V 的栅源额定电压与低栅极电荷特性，栅极、雪崩与动态 dV/dt 耐量均有提升，适用于开关电源（全桥、PFC 升压）、UPS 与高速功率开关等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247	N-Channel	500	±30	20	80	280	0.27	2.0~4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	20	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=100℃	13	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	80	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	280	W
T_j	最高工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.45	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	500	--	V
I_DSS-1	漏源漏电流	V_DS=500V；V_GS=0V；T_C=25℃	--	25	µA
I_DSS-2	漏源漏电流（高温）	V_DS=400V；V_GS=0V；T_J=125℃	--	250	µA
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±0.1	µA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=12A	--	270	mΩ
V_SD	二极管正向压降	I_SD=20A；V_GS=0V	--	1.8	V

应用

开关电源开关模式电源（SMPS），典型拓扑为全桥与 PFC 升压。
UPS / 逆变UPS 不间断电源应用。
高速功率开关高速功率开关（High speed power switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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