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IRFP250 国产替代N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：200V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：33A @ T_C=25℃
漏极脉冲电流（I_DM）：130A
耗散功率（P_D）：180W @ T_C=25℃
静态导通电阻（R_DS(on)）：85mΩ（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
结-壳热阻（R_th(j-c)）：0.7℃/W
封装：TO-247

IRFP250 是一款 200V / 33A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，导通电阻 85mΩ，开关速度快、输入阻抗高，适用于开关电源与电机控制，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247	200	±20	33	130	180	85mΩ	2.0 ~ 4.0	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	200	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	33	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	130	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	180	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	200	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	静态导通电阻	V_GS=10V；I_D=17A	--	85	mΩ
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±500	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=200V；V_GS=0	--	250	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=33A；V_GS=0	--	2.0	V

应用

开关电源开关电源（Switching power supplies）。
电机控制电机控制（Motor controls）。
逆变与 UPS逆变器、UPS 等功率变换场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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