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IRFP064N 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道功率 MOSFET（第五代先进工艺）
漏-源电压（V_DSS）：55V（Min）
栅-源电压（V_GS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D）：110A @ T_C=25℃；单脉冲 I_DM：390A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：8mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=59A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
总耗散功率（P_D）：200W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.75℃/W；超低导通电阻、快速开关
封装：TO-247

IRFP064N 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进工艺实现超低导通电阻与快速开关特性，并具备宽裕的雪崩能量耐受能力，适用于高电流开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动、DC/DC 变换器等高电流高效率功率应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds(on)	Rth(j-c)	PD (W)	Technology
TO-247	Single-N	55	±20	2.0~4.0	110	8 (mΩ)	0.75 (℃/W)	200	Advanced Process MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	55	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	110	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	390	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	工作结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.75	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	55	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=55V，V_GS=0V	--	25	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=59A	--	8	mΩ

应用

开关电源（SMPS）高电流开关电源功率级。
不间断电源（UPS）UPS 逆变与功率变换。
电机驱动电机驱动与控制电路。
DC/DC 变换器大电流 DC/DC 功率变换。
高电流功率开关高电流负载开关与功率管理。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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