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IRFP064 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET
最大漏极-源极电压（V_DSS）：60V（Min）
最大栅极-源极电压（V_GS）：±20V（连续）
连续漏极电流（I_D）：70A @ T_C=25℃；单脉冲 I_DM 520A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤9mΩ @ V_GS=10V，I_D=70A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
总耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.5℃/W
最大工作结温（T_J）：175℃
封装：TO-247

IRFP064 是一款 N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、功率开关及螺线管驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-247	Single-N	60	±20	2.0~4.0	70	—	—	9 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	60	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	70	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	520	A
P_D	总耗散功率	300	W
T_J	最大工作结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	60	--	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=60V，V_GS=0V	--	--	25	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.0	--	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=70A	--	--	9	mΩ

源-漏二极管特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	典型	最大	单位
V_SD	正向导通电压	I_S=130A，V_GS=0V	--	3.0	V

应用

电机驱动（Motor Drive）直流/交流电机驱动与控制、变频调速系统、伺服驱动。
DC-DC 变换器（DC-DC Converter）大电流降压/升压变换、开关电源次级整流与同步整流。
功率开关（Power Switch）高电流功率开关电路、电源管理模块与负载开关。
螺线管驱动（Solenoid Drive）电磁阀、继电器驱动及工业自动化执行机构控制。
开关模式电源（SMPS）低导通电阻带来更低导通损耗，适用于高电流输出的开关电源功率级。
电池供电设备电动工具、电池包与便携设备的大电流开关与保护电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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