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IRFP054N 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：55V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：81A（连续）
单脉冲漏极电流（I_DM）：290A
耗散功率（P_D）：170W @ T_C=25℃
导通电阻：R_DS(on)≤12mΩ @ V_GS=10V，I_D=43A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
100% 雪崩测试、批次一致性好
封装：TO-247

IRFP054N 是一款 55V / 81A / 12mΩ 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，导通电阻低、开关速度快，适用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动与负载开关等中低压大电流场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247	Single-N	55	±20	81	290	170	12	2.0 ~ 4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	55	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	81	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	290	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	170	W
T_j	结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.9	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	40	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	55	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	导通电阻	V_GS=10V；I_D=43A	--	12	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V	--	±0.1	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=55V；V_GS=0V	--	25	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=43A；V_GS=0V	--	1.3	V

应用

DC-DC 转换器低压大电流同步整流与 buck/boost 主开关管。
逆变器与 UPS48V 以下电池供电逆变器的功率开关。
电机驱动直流电机、电动工具的 PWM 调速驱动。
负载开关与保护电池组、热插拔电路的低损耗通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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