IRFP048 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：60V
漏极电流（I_D）：70A @ T_C=25℃（脉冲 290A）
低导通电阻：R_DS(on)≤18mΩ @ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
总耗散功率（P_D）：190W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，最高结温 175℃
动态 dV/dt 能力，便于并联使用
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.8℃/W
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IRFP048 是一款 60V/70A N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 18mΩ 的低导通电阻、190W 的耗散功率与 175℃ 的最高结温，100% 雪崩测试、动态 dV/dt 能力好且便于并联，适用于开关稳压器、DC-DC 变换器、电机驱动与 UPS/逆变等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247	N-Channel	60	±20	70	290	190	0.018	2.0~4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	60	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	70	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	290	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	190	W
T_j	最高工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.8	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	60	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=44A	--	18	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS-1	漏源漏电流	V_DS=60V；V_GS=0V	--	25	µA
I_DSS-2	漏源漏电流（高温）	V_DS=48V；V_GS=0V；T_J=125℃	--	250	µA
V_SD	二极管正向压降	I_DR=73A；V_GS=0V	--	2.0	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching voltage regulators）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器应用。
电机驱动直流电机驱动（DC motor control）应用。
UPS / 逆变UPS 与逆变电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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