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IRF9640P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：-200V（Min）
漏极电流（I_D）：-11A（单脉冲 -44A）
低导通电阻：R_DS(on)≤0.5Ω @ V_GS=-10V，I_D=-6.6A
漏极耗散功率（P_D）：125W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2 ~ -4V
开关速度快，易于并联
封装：TO-220C（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IRF9640 是一款硅 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220C 封装，具有 -200V/-11A 的电压电流能力与 0.5Ω 的导通电阻，开关速度快、驱动功率小，适用于开关电源与电机控制等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-220C	P-Channel	-200	±20	-11	-44	125	0.5	-2 ~ -4	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-200	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续） @ T_C=25℃	-11	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-44	A
P_D	漏极耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-0.25mA	-200	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-200V；V_GS=0V	--	-100	µA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-6.6A	--	-0.5	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-11A；V_GS=0V	--	-5.0	V

应用

开关电源开关电源（Switching power supplies）应用。
电机控制电机控制（Motor controls）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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