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IRF9530 国产替代P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：-100V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：-12A @ T_C=25℃
漏极脉冲电流（I_DM）：-48A
耗散功率（P_D）：75W @ T_C=25℃
静态导通电阻（R_DS(on)）：0.3Ω（Max）@ V_GS=-10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.0 ~ -4.0V
结-壳热阻（R_th(j-c)）：1.67℃/W
封装：TO-220C

IRF9530 是一款 -100V / -12A 的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220C 封装，导通电阻 0.3Ω，开关速度快、易于并联，适用于开关变换器与电机控制，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220C	-100	±20	-12	-48	75	0.3Ω	-2.0 ~ -4.0	P-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-100	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	-12	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-48	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=-0.25mA	-100	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	静态导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-6.5A	--	0.3	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±500	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-100V；V_GS=0	--	-250	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-12A；V_GS=0	--	-6.3	V

应用

开关变换器开关模式变换器（Switching mode converters）。
电机控制电机控制（Motor control）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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