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IRF9150P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：-100V
漏极电流（I_D）：-25A（单脉冲 -100A）
低导通电阻：R_DS(on)≤0.15Ω @ V_GS=-10V，I_D=-10A
漏极耗散功率（P_D）：150W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-1.5 ~ -3V
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-3（TO-204）

IRF9150 是一款硅 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-3（TO-204）金属封装，具有 -100V/-25A 的电压电流能力与 0.15Ω 的低导通电阻，开关速度快、栅极驱动功率小，适用于开关稳压器、开关转换器、电机与继电器驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-3	P-Channel	-100	±20	-25	-100	150	0.15	-1.5 ~ -3	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-100	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续） @ T_C=25℃	-25	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-100	A
P_D	漏极耗散功率	150	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-250µA	-100	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-250µA	-1.5	-3	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-10A	--	0.15	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V	--	±100	nA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=-100V；V_GS=0V	--	-25	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-25A；V_GS=0V	--	-1.5	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching regulators）应用。
开关转换器开关转换器（Switching converters）应用。
电机驱动电机驱动（Motor drivers）应用。
继电器驱动继电器驱动（Relay drivers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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