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IRF840A 国产替代N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：500V
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：8.0A @ T_C=25℃
漏极脉冲电流（I_DM）：32A
耗散功率（P_D）：125W @ T_C=25℃
静态导通电阻（R_DS(on)）：0.85Ω（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
结-壳热阻（R_th(j-c)）：1.0℃/W
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-220AB

IRF840A 是一款 500V / 8.0A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，导通电阻 0.85Ω，经过 100% 雪崩测试，适用于 DC/DC 变换器与 DC/AC 逆变器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220AB	500	±30	8.0	32	125	0.85Ω	2.0 ~ 4.0	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	8.0	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	32	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	静态导通电阻	V_GS=10V；I_D=4.8A	--	0.85	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±0.1	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=500V；V_GS=0	--	25	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=8.0A；V_GS=0	--	2.0	V

应用

DC/DC 变换器DC/DC 变换器（DC/DC converters）。
DC/AC 逆变器DC/AC 逆变器（DC/AC inverters）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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