N-Channel MOSFET Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IRF640 是一款 N 沟道功率 MOSFET，具有 200V 耐压与低导通电阻，开关速度快、易于并联，适用于开关电源与电机驱动等功率应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | RDS(on) (mΩ) | VGS(th) (V) | PD (W) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220 | Single-N | 200 | ±20 | 18 | 72 | 150 | 2.0~4.0 | 150 | Silicon N-Ch |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压 | 200 | V |
| VGS | 栅-源电压（连续） | ±20 | V |
| ID | 漏极电流（连续） | 18 | A |
| IDM | 漏极电流（单脉冲） | 72 | A |
| PD | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 150 | W |
| TJ | 工作结温 | -55 ~ 175 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 175 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.0 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V；ID=0.25mA | 200 | -- | V |
| IDSS | 零栅压漏电流 | VDS=200V；VGS=0V | -- | 25 | µA |
| IGSS | 栅-体漏电流 | VGS=±20V；VDS=0V | -- | ±100 | nA |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=0.25mA | 2.0 | 4.0 | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V；ID=11A | -- | 0.15 | Ω |
| VSD | 正向导通电压 | IS=11A；VGS=0V | -- | 1.3 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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