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IRF540 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：100V
漏极电流（I_D）：28A @ T_C=25℃（T_C=100℃ 时 20A，脉冲 110A）
低导通电阻：R_DS(on)≤77mΩ @ V_GS=10V，I_D=17A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
175℃ 工作结温，动态 dV/dt 额定
快速开关，易于并联

第三代功率 MOSFET，TO-220AB 封装，通用性强。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω/mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220AB	N	100	±20	28	110	150	77mΩ	2.0~4.0	Planar

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	100	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）T_C=25℃	28	A
I_D	漏极电流（连续）T_C=100℃	20	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	110	A
P_D	总耗散功率 T_C=25℃	150	W
T_J	工作结温	-55~175	℃
T_stg	储存温度范围	-55~175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thj-c	结到壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V; I_D=0.25mA	100	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=100V; V_GS=0V	--	25	µA
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V; V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS; I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V; I_D=17A	--	77	mΩ
V_SD	二极管正向压降	I_S=28A; V_GS=0V	--	2.5	V

应用

开关电源100V 母线下的主开关管，通用型设计。
电机驱动直流电机 PWM 调速与 H 桥桥臂。
逆变与 UPS低压逆变级的功率开关。
音频功放甲乙类功放的输出级（经典应用）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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