P-Channel Power MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IRF5210S 是一款 -100V 单 P 沟道功率 MOSFET，采用 D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有 -40A 的连续电流能力与 60mΩ 的低导通电阻，开关速度快、雪崩耐量充分，适用于高速开关、电机驱动与电源管理等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | PD (W) | RDS(on) | VGS(th) (V) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D2PAK (TO-263) | -100 | ±20 | -40 | -- | 200 | ≤60 mΩ | -2~-4 | Silicon P-Channel |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏源电压 | -100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 连续漏极电流 @ TC=25℃ | -40 | A |
| PD | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 200 | W |
| Tj | 最高工作结温 | -55 ~ 175 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 175 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 沟道-外壳热阻 | 0.75 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V；ID=-250µA | -100 | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=-250µA | -2 | -4 | V |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=-10V；ID=-24A | -- | 60 | mΩ |
| IGSS | 栅源漏电流 | VGS=±20V；VDS=0V | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 漏源漏电流 | VDS=-100V；VGS=0V | -- | -25 | µA |
| VSD | 体二极管正向压降 | IS=-24A；VGS=0V | -- | -1.6 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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