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IRF460 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：500V
漏极电流（I_D）：21A @ T_C=25℃
导通电阻：R_DS(on)=0.27Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=14A
栅源电压（V_GS）：±20V
耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
重复雪崩额定与动态 dv/dt 额定
封装：TO-3（TO-204，G-S-D，金属气密封装）

IRF460 是一款 500V / 21A N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO-3（TO-204）金属气密封装，具有 0.27Ω 的低导通电阻、重复雪崩额定与动态 dv/dt 额定能力，驱动简单、易于并联，适用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器与音频功放等高能脉冲电路。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)	Structure
TO-3 (TO-204)	N	500	21	300	0.27	2.0~4.0	-55~150	Silicon N-MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	21	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	84	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
E_AS	单脉冲雪崩能量	1200	mJ
I_AR	雪崩电流	21	A
dv/dt	二极管反向恢复 dv/dt	3.5	V/ns
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.42	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1.0mA	500	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=400V；V_GS=0V	--	25	μA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=14A	--	0.27	Ω
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=21A	--	0.31	Ω
V_SD	二极管正向压降	I_S=21A；V_GS=0V	--	1.8	V

应用

开关电源高压开关电源的主开关管。
电机控制电机驱动与调速的功率级。
逆变器 / 斩波器DC-AC 逆变、DC-DC 斩波电路。
音频功放大功率音频放大器的输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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