N-Channel MOSFET Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
IPW65R041CFD 是一款 N 沟道高压超结功率 MOSFET，具有 650V 耐压与极低导通电阻，开关损耗低、换流特性柔和，适用于开关电源、光伏逆变器与 LED 驱动等高频高效功率变换应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | RDS(on) (mΩ) | VGS(th) (V) | PD (W) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-247 | Single-N | 650 | ±20 | 68.5 | 255 | 41 | 3.5~4.5 | 500 | Silicon N-Ch |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压 | 650 | V |
| VGS | 栅-源电压（连续） | ±20 | V |
| ID | 漏极电流（连续，TC=25℃） | 68.5 | A |
| IDM | 漏极电流（单脉冲） | 255 | A |
| PD | 总耗散功率 | 500 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 0.25 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V；ID=1mA | 650 | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=3.3mA | 3.5 | 4.5 | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V；ID=33.1A | -- | 41 | mΩ |
| IGSS | 栅-体漏电流 | VGS=±20V；VDS=0V | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 零栅压漏电流 | VDS=650V；VGS=0V | -- | 3.5 | µA |
| VSD | 正向导通电压 | IS=49.6A；VGS=0V | -- | 1.7 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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