当前位置：首页 / 产品 / MOSFET 单管

IPP60R250CP 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：600V
漏极电流（I_D）：12A @ T_C=25℃（T_C=100℃ 时 8A，脉冲 40A）
低导通电阻：R_DS(on)≤250mΩ @ V_GS=10V，I_D=7.8A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.5 ~ 4.0V
低栅极电荷（Q_g 典型 26nC），适合硬开关 SMPS 拓扑
100% 雪崩测试，批次一致性高

CoolMOS™ CP 系列同类器件，适用于适配器、服务器电源等高效开关电源设计。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω/mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220	N	600	±20	12	40	104	250mΩ	2.5~4.0	CoolMOS CP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	600	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）T_C=25℃	12	A
I_D	漏极电流（连续）T_C=100℃	8	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	40	A
P_D	总耗散功率 T_C=25℃	104	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thj-c	结到壳热阻	1.2	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V; I_D=0.25mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS; I_D=0.52mA	2.5	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V; I_D=7.8A	--	250	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V; V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=600V; V_GS=0V	--	1.0	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=7.8A; V_GS=0V	--	1.2	V

应用

AC-DC 适配器笔记本电脑适配器、充电器一次侧开关，600V 耐压适配通用市电整流母线。
服务器与通信电源高效率开关电源的 PFC 与主开关管，低 Q_g 降低驱动损耗。
LCD/PDP 电视电源背光与主电源开关级，兼顾开关损耗与导通损耗。
LED 驱动电源中小功率恒流驱动拓扑中的主开关器件。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号