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IPP530N15N3 国产替代N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：150V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：21A @ T_C=25℃（15A @ T_C=100℃）
漏极脉冲电流（I_DM）：84A
耗散功率（P_D）：68W @ T_C=25℃
静态导通电阻（R_DS(on)）：53mΩ（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
工作结温可达 175℃，100% 雪崩测试
封装：TO-220

IPP530N15N3 是一款 150V / 21A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，导通电阻仅 53mΩ，工作结温高达 175℃，开关速度快、批次一致性好，适用于高频开关与同步整流，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220	150	±20	21	84	68	53mΩ	2.0 ~ 4.0	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	150	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	21	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=100℃	15	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）@ T_C=25℃	84	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	68	W
T_j	工作与存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.2	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=1mA	150	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=35µA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	静态导通电阻	V_GS=10V；I_D=18A	--	53	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±0.1	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=120V；V_GS=0	--	1	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_F=21A；V_GS=0	--	1.2	V

应用

高频开关高频开关（High-frequency switching）电路。
同步整流同步整流（Synchronous rectification）。
DC-DC 变换器低压大电流 DC-DC 变换器。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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