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IPP051N15N5 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：150V
漏极电流（I_D）：120A @ T_C=25℃
极低导通电阻：R_DS(on)=6.8mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=60A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
总耗散功率（P_tot）：300W @ T_C=25℃
脉冲漏极电流（I_DM）：480A
体二极管正向导通电压 V_SD=1.1V（Max）@ I_S=60A
结温可达 175℃
封装：TO-220

IPP051N15N5 是一款 150V/120A N 沟道功率 MOSFET，具有极低导通电阻与高效率特性，适用于高效开关电源应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	P_D (W)	Structure
TO-220	Single-N	150	±20	120	480	6.8	3.0 ~ 5.0	300	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	150	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	120	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	480	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_J	最大工作结温	175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=1mA	150	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=60A	--	6.8	mΩ
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=120V；V_GS=0	--	1.0	µA
V_SD	体二极管正向导通电压	I_S=60A；V_GS=0	--	1.1	V

应用

开关电源高效开关电源（High Efficiency Switched Mode Power Supplies）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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