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IPP034N08N5 国产替代Silicon N-Channel MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：80V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：120A @ T_C=25℃
漏源导通电阻（R_DS(on)）：3.4mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=100A
总耗散功率（P_D）：167W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.2 ~ 3.8V
最高工作结温（T_j）：175℃
封装：TO-220

IPP034N08N5 是一款 80V / 120A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，导通电阻仅 3.4mΩ，栅极电荷与导通损耗的乘积（FOM）低，适合同步整流、低压电机驱动、太阳能设备与通信电源等高效率开关应用。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220	80	±20	120	480	167	3.4	2.2 ~ 3.8	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	80	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	120	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	480	A
P_D	总耗散功率	167	W
T_j	最高工作结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.9	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	80	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=108µA	2.2	3.8	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=100A	--	3.4	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=80V；V_GS=0V	--	1.0	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=100A；V_GS=0V	--	1.2	V

应用

同步整流通信与服务器电源的同步整流级，降低导通损耗。
低压电机驱动低压直流电机、无刷电机驱动。
太阳能设备光伏逆变与 MPPT 电路中的开关管。
DC-DC 变换器高效率降压、升压变换器主开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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