IPB60R385CP 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：600V（Min）
漏极电流 I_D：9A @ T_C=25℃（5.7A @ T_C=100℃）
静态导通电阻 R_DS(on)：≤0.385Ω（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率 P_D：83W @ T_C=25℃
超低栅极电荷与输入电容，开关损耗低
100% 雪崩测试
封装：D²PAK（TO-263）

IPB60R385CP 是英飞凌 CoolMOS™ CP 系列 600V 超结 MOSFET 的对应产品，D²PAK 封装，导通电阻低至 0.385Ω、栅极电荷超低，适合硬开关/软开关拓扑、CCM PFC 及 ATX 电源、适配器、LCD/PDP 电视电源等应用，为 Infineon 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
D²PAK	600	9	≤0.385	83	2.5 ~ 3.5	-40~150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	600	V
V_GSS	栅源电压（静态）	±20	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	9	A
I_D	漏极电流（连续，T_C=100℃）	5.7	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	27	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	83	W
T_j	最高工作结温	-40 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道到壳热阻	1.5	℃/W
R_th(ch-a)	沟道到环境热阻	62	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.34mA	2.5	3.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=5.2A	--	0.385	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=600V；V_GS=0V；T_j=25℃	--	10	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=600V；V_GS=0V；T_j=150℃	--	1	mA
V_SD	二极管正向压降	I_SD=5.2A；V_GS=0V	--	1.2	V

应用

开关电源开关应用（Switching applications），硬开关与软开关拓扑。
PFC 功率因数校正CCM PFC 及 PWM 功率级。
ATX / 适配器电源ATX 电源、笔记本适配器电源。
电视电源PDP / LCD 电视电源。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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