IPA105N15N3 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：150V
漏极电流（I_D）：37A @ T_C=25℃（T_C=100℃ 时 27A，脉冲 148A）
低导通电阻：R_DS(on)≤10.5mΩ @ V_GS=10V，I_D=37A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
总耗散功率（P_D）：40.5W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，最高结温 175℃
低输入电容与栅极电荷，开关及导通损耗小
沟道-结壳热阻（R_th(ch-c)）：3.7℃/W
封装：TO-220F（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

IPA105N15N3 是一款 150V/37A N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，具有 10.5mΩ 的低导通电阻、40.5W 的耗散功率与 175℃ 的最高结温，100% 雪崩测试、低输入电容与栅极电荷，开关与导通损耗小，适用于开关电源同步整流、48V~80V 电机控制、隔离 DC-DC 变换器与 UPS 等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220F	N-Channel	150	±20	37	148	40.5	0.0105	2.0~4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	150	V
V_GSS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	37	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=100℃	27	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	148	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	40.5	W
T_j	最高工作结温	175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道-结壳热阻	3.7	℃/W
R_th(ch-a)	沟道-环境热阻	65	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	150	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.16mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=37A	--	10.5	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±0.1	µA
I_DSS-1	漏源漏电流	V_DS=120V；V_GS=0V；T_j=25℃	--	1	µA
I_DSS-2	漏源漏电流（高温）	V_DS=120V；V_GS=0V；T_j=125℃	--	100	µA
V_SD	二极管正向压降	I_SD=37A；V_GS=0V	--	1.2	V

应用

同步整流AC-DC 开关电源同步整流（Synchronous rectification）应用。
电机控制48V~80V 系统电机控制（电动车、电动工具、卡车等）应用。
隔离 DC-DC隔离 DC-DC 变换器（通信与数据通信系统）应用。
Or-ing 开关48V 系统 Or-ing 开关与断路器应用。
D 类功放 / UPSD 类音频放大器与 UPS 不间断电源应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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