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GD2X75MPS17N 国产替代SiC Schottky MPS Diode Module

SiC Schottky MPS Diode Module | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

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描述

产品简介

GD2X75MPS17N 是一款 1700V / 150A 碳化硅(SiC)肖特基 MPS 二极管模块,采用 SOT-227 双独立结构(每只 75A),基于第 4 代薄片工艺,具有零反向恢复电流、正温度系数正向压降与 175℃ 的高结温能力,可显著降低开关损耗并简化散热设计,适用于电动汽车快充、光伏逆变器、风电变流器与高频整流等高效能电力电子系统。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVRRM (V)IF (A)IFSM (A)VF (V)QC (nC)Tj (℃)Structure
SOT-2272 Independent170075×27501.8524×2-55~175SiC Schottky

绝对最大额定值(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数数值单位
VRRM重复峰值反向电压(每管)1700V
IF连续正向电流 @ TC=75℃(每管/模块)115 / 230A
IF连续正向电流 @ TC=100℃(每管/模块)97 / 194A
IF连续正向电流 @ TC=127℃(每管/模块)75 / 150A
IFSM非重复峰值浪涌电流(半正弦,10ms,25℃)750A
IFSM非重复峰值浪涌电流(半正弦,10ms,150℃)600A
IFRM重复峰值浪涌电流(半正弦,10ms,25℃)450A
IFSM非重复峰值浪涌电流(10μs,25℃)3750A
∫i²dt浪涌电流平方积分(25℃,10ms)2812A²s
EAS非重复雪崩能量(L=0.5mH,IF=75A)1270mJ
dV/dt二极管耐压变化率200V/ns
PD耗散功率 @ TC=25℃(每管/模块)556 / 1112W
Tj, Tstg工作与存储温度范围-55 ~ 175℃

热特性

符号参数数值单位
Rth j-c结-壳热阻(每管)0.27℃/W
VISO隔离耐压(RMS,60s,50/60Hz)2500V
W重量28g

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
VF二极管正向压降IF=75A;Tj=25℃--1.8V
IR反向电流VR=1700V;Tj=25℃--10μA
tsw开关时间VR=1200V--10ns
Ct总电容VR=1200V;f=1MHz--252pF

应用

  1. 电动汽车快充直流快充桩的整流与输出级。
  2. 光伏逆变器组串式与集中式逆变器的升压与整流环节。
  3. 风电变流器风电变流器的整流与续流回路。
  4. 列车辅助电源轨道交通辅助变流器的高频整流。
  5. 高频整流高频开关电源、脉冲电源的整流输出。
  6. 电机驱动变频器与伺服驱动的续流二极管。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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