FW26025A1 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：-100V（Min）
集电极电流（I_C）：-20A，峰值 -40A
集电极耗散功率（P_C）：160W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=5000（Min）@ I_C=-2A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-10A
内置反并联集电极-发射极二极管
封装：TO-3（1 基极 / 2 集电极（外壳）/ 3 发射极）

FW26025A1 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3 金属封装，具备 -100V/-20A 的电压电流能力与 160W 耗散功率，5000 倍以上的直流电流增益使其可用极小基极电流驱动大电流负载，内置反并联集电极-发射极二极管，适用于线性放大与工业开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-P (Darlington)	100	100	5	20	3.0	5000	18000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-20	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-40	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	160	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.09	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-100mA；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-20A；I_B=-200mA	--	-3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-20A；I_B=-200mA	--	-4	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10A；V_CE=-3V	--	-2.8	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-1	mA
I_CEV	集电极截止电流（V_BE=-1.5V）	V_CE=-100V；I_B=0	--	-0.5	mA
I_CEV	集电极截止电流（V_BE=-1.5V）	V_CE=-100V；I_B=0；T_C=150℃	--	-5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-2	mA

h_FE 分档

h_FE-1（I_C=-2A）	h_FE-2（I_C=-10A）	h_FE-3（I_C=-30A）
5000（Min）	750 ~ 18000	200（Min）

应用

线性放大线性放大（Linear amplifier）应用。
工业开关低频开关与工业设备（Low frequency switching / industrial equipment）应用。
电机与风机驱动风扇、电机类大电流感性负载驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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