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FQU10N20C 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_(BR)DSS）：200V（Min）
漏极电流（I_D）：7.8A @ T_C=25℃
导通电阻：R_DS(on)=0.36Ω（Max）@ V_GS=10V
栅极电荷低：Qg 典型 20nC
反向传输电容低：C_rss 典型 40.5pF
100% 雪崩测试
封装：TO-251（IPAK，1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

FQU10N20C 是一款 200V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用平面栅 DMOS 工艺，导通电阻 0.36Ω，栅极电荷与反向传输电容低、开关损耗小、雪崩耐量高，适用于开关电源、有源功率因数校正与电子镇流器等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-251	Single-N	200	±20	7.8	31.2	50	0.36	2.0 ~ 4.0	N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	200	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	7.8	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	31.2	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	200	--	V
V_GS(th)	栅极开启阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=3.9A	--	0.36	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=200V；V_GS=0	--	10	µA
V_SD	正向导通压降	I_S=7.8A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

开关电源开关电源（Switched mode power supplies）应用。
有源功率因数校正有源功率因数校正（Active power factor correction）应用。
电子镇流器电子镇流器（Electronic lamp ballasts）应用。
电机与电磁阀驱动电机驱动、功率开关与电磁阀驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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