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FQPF13N50 国产替代500V N-Channel MOSFET

500V N-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：500V
漏极电流（I_D）：12.5A @ T_C=25℃；7.9A @ T_C=100℃
漏极脉冲电流（I_DM）：50A
导通电阻（R_DS(on)）：0.43Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=6.25A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
耗散功率（P_D）：56W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，dv/dt 能力强
封装：TO-220F（全包封绝缘）

FQPF13N50 是一款 500V / 12.5A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用全包封绝缘 TO-220F 封装，导通电阻低、栅极电荷小、开关速度快，适用于开关电源、功率因数校正与电子镇流器。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220F	Single-N	500	±30	12.5	50	56	0.43	3.0 ~ 5.0	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GSS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	12.5	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=100℃	7.9	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	50	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	56	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	2.23	℃/W
R_th(j-a)	结到环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	导通电阻	V_GS=10V；I_D=6.25A	--	0.43	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=500V；V_GS=0V	--	1	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=12.5A；V_GS=0V	--	1.4	V

应用

开关电源（SMPS）反激、正激与半桥拓扑的主开关管。
功率因数校正（PFC）升压型 PFC 的开关管。
电子镇流器荧光灯半桥逆变开关。
负载开关与电源管理高压侧的负载通断与保护。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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