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FQP7N80C 国产替代N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：800V
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：6.6A @ T_C=25℃
漏极脉冲电流（I_DM）：26.4A
耗散功率（P_D）：167W @ T_C=25℃
静态导通电阻（R_DS(on)）：1.9Ω（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
结-壳热阻（R_th(j-c)）：0.75℃/W
封装：TO-220

FQP7N80C 是一款 800V / 6.6A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，导通电阻 1.9Ω，具有低栅极电荷、低反向传输电容与高雪崩耐量，适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）与电子镇流器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220	800	±30	6.6	26.4	167	1.9Ω	3.0 ~ 5.0	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	800	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	6.6	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	26.4	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	167	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.75	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	800	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	静态导通电阻	V_GS=10V；I_D=3.3A	--	1.9	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=800V；V_GS=0	--	1	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=6.6A；V_GS=0	--	1.4	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）功率级。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）主开关。
开关电源电源开关（Power switch）场合。
电磁阀驱动电磁阀驱动（Solenoid drive）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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电话：0510-85346300

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