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FQP5N80 国产替代N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：800V
栅源电压（V_GSS）：±30V
漏极电流（I_D）：4.8A @ T_C=25℃（3.04A @ T_C=100℃）
漏极脉冲电流（I_DM）：19.2A
耗散功率（P_D）：140W @ T_C=25℃
静态导通电阻（R_DS(on)）：2.6Ω（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
结-壳热阻（R_th(j-c)）：0.89℃/W
100% 雪崩测试，封装：TO-220AB

FQP5N80 是一款 800V / 4.8A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，导通电阻 2.6Ω，具有低栅极电荷与快速开关特性，适用于高效率开关电源、PFC 与电子镇流器等高压场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-220AB	800	±30	4.8	19.2	140	2.6Ω	3.0 ~ 5.0	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	800	V
V_GSS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	4.8	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=100℃	3.04	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	19.2	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	140	W
T_J	工作与存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.89	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	800	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	静态导通电阻	V_GS=10V；I_D=2.4A	--	2.6	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=800V；V_GS=0	--	1.0	µA

应用

开关电源高效率开关模式电源（SMPS）的主开关。
功率因数校正有源功率因数校正（PFC）电路。
电子镇流器电子灯镇流器（Electronic lamp ballasts）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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