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FQP50N06 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：60V
漏极电流（I_D）：50A @ T_C=25℃
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：0.022Ω（Max）@ V_GS=10V
漏极脉冲电流（I_DM）：200A
总耗散功率（P_D）：120W @ T_C=25℃
最高结温：175℃
封装：TO-220

FQP50N06 是一款 60V / 50A N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，导通电阻 0.022Ω（Max）@ V_GS=10V，开关速度快、雪崩耐量好，适用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关与电磁阀驱动等低压场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (±V)	V_GS(th) (V)	I_D (A)	R_DS(on) (mΩ)	P_D (W)	Technology
TO-220	Single-N	60	±25	2.0~4.0	50	22	120	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	60	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±25	V
I_D	漏极电流（连续）	50	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	200	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	120	W
T_J	最大工作结温	175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.24	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	60	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=25A	--	0.022	Ω
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±25V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=60V；V_GS=0	--	1	µA
V_SD	正向导通电压（体二极管）	I_S=50A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC-DC converter）应用。
电源开关电源开关（Power switch）应用。
电磁阀驱动电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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