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FQP3N80C 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：800V（Min）
漏极电流 I_D：3A @ T_C=25℃
脉冲漏极电流 I_DM：12A
导通电阻 R_DS(on)：4.8Ω（Max）@ V_GS=10V、I_D=1.5A
总耗散功率 P_D：107W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，dv/dt 能力提升
封装：TO-220

FQP3N80C 是一款 800V/3A 的 N 沟道 QFET 功率 MOSFET，采用平面条纹 DMOS 工艺，耐压高、雪崩能量强，适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）与电子镇流器等高压场合，为安森美（onsemi / 原 Fairchild）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	T_j (℃)
TO-220	800	3	4.8	107	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	800	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	3	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	12	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	107	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	800	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=1.5A	--	4.8	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=800V；V_GS=0V	--	10	µA
V_SD	源漏正向电压	I_S=3A；V_GS=0V	--	1.4	V

应用

开关电源高效开关电源主开关管（SMPS）。
功率因数校正有源功率因数校正（PFC）电路。
电子镇流器荧光灯电子镇流器。
DC-DC 转换器高压 DC-DC 功率变换。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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