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FQP20N06 国产替代N-Channel Enhancement Mode MOSFET

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道增强型（N-Channel Enhancement Mode）功率 MOSFET
最大漏极-源极电压（V_DSS）：60V（Min）
最大栅极-源极电压（V_GS）：±25V
连续漏极电流（I_D）：20A @ T_C=25℃；单脉冲 I_DM 80A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：≤60mΩ @ V_GS=10V，I_D=10A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
总耗散功率（P_D）：53W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.85℃/W
最大工作结温（T_J）：175℃；100% 雪崩能量测试
封装：TO-220

FQP20N06 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用平面条纹 DMOS 工艺，具有低栅电荷、低反向传输电容与快速开关特性，并经 100% 雪崩能量测试，适用于汽车电子、DC/DC 变换器、开关电源等高效功率变换应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO-220	Single-N	60	±25	2.0~4.0	20	—	—	60 (mΩ)	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	60	V
V_GS	栅-源电压	±25	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	20	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	80	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	53	W
T_J	最大工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.85	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=250µA	60	--	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=60V，V_GS=0V	--	--	1	µA
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±25V，V_DS=0V	--	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=250µA	2.0	--	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=10A	--	48	60	mΩ

动态特性（T_C=25℃）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
C_iss	输入电容	V_DS=25V，V_GS=0V，f=1.0MHz	--	450	590	pF
C_oss	输出电容	V_DS=25V，V_GS=0V，f=1.0MHz	--	170	220	pF
C_rss	反向传输电容	V_DS=25V，V_GS=0V，f=1.0MHz	--	25	35	pF

开关特性（T_C=25℃）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
Q_g	总栅电荷	V_DS=48V，I_D=20A，V_GS=10V	--	11.5	15	nC
Q_gs	栅-源电荷	V_DS=48V，I_D=20A，V_GS=10V	--	3	--	nC
Q_gd	栅-漏电荷	V_DS=48V，I_D=20A，V_GS=10V	--	4.5	--	nC
t_d(on)	开通延迟时间	V_DD=30V，I_D=10A，R_G=25Ω	--	5	20	ns
t_r	开通上升时间	V_DD=30V，I_D=10A，R_G=25Ω	--	45	100	ns
t_d(off)	关断延迟时间	V_DD=30V，I_D=10A，R_G=25Ω	--	20	50	ns
t_f	关断下降时间	V_DD=30V，I_D=10A，R_G=25Ω	--	25	60	ns

源-漏二极管特性（T_C=25℃）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_SD	二极管正向压降	V_GS=0V，I_S=20A	--	1.5	V

应用

高电流高速开关大电流、高速度开关电路。
开关电源（SMPS）开关模式电源功率级与高效功率变换。
DC/DC 变换器低压 DC/DC 变换与功率管理。
汽车电子汽车电子与电池供电产品的功率开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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