FQB50N06L 国产替代N-Channel Logic Level MOSFET

N-Channel Logic Level MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：60V（Min）
漏极电流（I_D）：52.4A @ T_C=25℃（脉冲 210A）
静态导通电阻：R_DS(on)=21mΩ（Max）@ V_GS=10V
逻辑电平驱动：R_DS(on)=25mΩ（Max）@ V_GS=5V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：1.0 ~ 2.5V
总耗散功率（P_D）：121W @ T_C=25℃（3.75W @ T_a=25℃）
100% 雪崩测试，最高结温 175℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.24℃/W
封装：TO-263（D2PAK）（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

FQB50N06L 是一款 60V/52.4A 逻辑电平 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263（D2PAK）贴片封装，具有 21mΩ 的低导通电阻、100% 雪崩测试与 175℃ 的最高结温，适用于开关电源、音频功放、直流电机控制与各类可变开关电源场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-263 (D2PAK)	N-Channel	60	±20	52.4	210	121	0.021	1.0~2.5	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	60	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	52.4	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	210	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	121	W
P_D	总耗散功率 @ T_a=25℃	3.75	W
T_J, T_stg	工作结温与存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.24	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	60	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1.0mA	1.0	2.5	V
R_DS(on)-1	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=26.2A	--	21	mΩ
R_DS(on)-2	漏源导通电阻	V_GS=5V；I_D=26.2A	--	25	mΩ
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±0.1	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=60V；V_GS=0	--	1.0	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=52.4A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

电机驱动直流电机驱动（DC motor control）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC/DC converters）应用。
功率开关与电磁阀驱动功率开关与电磁阀驱动（Power switch and solenoid drive）应用。
开关电源开关模式电源（Switched mode power supplies）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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