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FQA36P15 国产替代Silicon P-Channel MOSFET

Silicon P-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：-150V
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：-36A @ T_C=25℃
漏极脉冲电流（I_DM）：-144A
漏源导通电阻（R_DS(on)）：90mΩ（Max）@ V_GS=-10V，I_D=-18A
总耗散功率（P_D）：294W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2.0 ~ -4.0V
封装：TO-3P

FQA36P15 是一款 -150V / -36A 的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-3P 封装，平面栅条 DMOS 工艺，导通电阻低、开关性能好、雪崩能量耐量高，适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制与可变开关电源。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-3P	-150	±30	-36	-144	294	90	-2.0 ~ -4.0	Silicon P-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	-150	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	-36	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	-144	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	294	W
T_j、T_stg	工作结温与存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.51	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0；I_D=-0.25mA	-150	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-150V；V_GS=0	--	-10	µA
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±25V；V_DS=0	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-18A	--	90	mΩ
V_SD	二极管正向压降	I_S=-36A；V_GS=0	--	-4.0	V

应用

开关电源SMPS 主开关与功率变换级。
音频放大器音频功放输出级。
直流电机控制直流电机调速与驱动。
可变开关电源可调输出电压的开关电源。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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