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FQA28N15 国产替代Silicon N-Channel MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：150V（Min）
漏极电流（I_D）：33A @ T_C=25℃（单脉冲 132A）
导通电阻：R_DS(on)=0.09Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=11.8A
栅源电压（V_GS）：±25V
总耗散功率（P_D）：227W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
最高结温 175℃，100% 雪崩测试
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.66℃/W
封装：TO-3P

FQA28N15 是一款硅 N 沟道功率 MOSFET，具有 150V/33A 的电压电流能力与 0.09Ω 的低导通电阻，最高结温 175℃，经 100% 雪崩测试，适用于电机驱动、DC-DC 转换器、功率开关与电磁阀驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-3P	150	±25	33	132	227	0.09 Ω	2.0 ~ 4.0	Silicon N-channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	150	V
V_GS	栅源电压（连续）	±25	V
I_D	漏极电流（连续）	33	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	132	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	227	W
T_J	最高工作结温	175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.66	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	150	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=11.8A	--	0.09	Ω
I_GSS	栅极-体漏电流	V_GS=±25V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=150V；V_GS=0	--	1	µA
V_SD	正向导通电压	I_S=33A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC-DC converter）应用。
功率开关 / 电磁阀驱动功率开关（Power switch）与电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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