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FQA11N90C 国产替代Silicon N-Channel MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：900V（Min）
漏极电流（I_D）：11A @ T_C=25℃（单脉冲 44A）
导通电阻：R_DS(on)=1.1Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=5.5A
栅源电压（V_GS）：±30V
总耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
100% 雪崩测试，批次一致性好
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.42℃/W
封装：TO-3P

FQA11N90C 是一款硅 N 沟道功率 MOSFET，具有 900V/11A 的电压电流能力与 300W 的耗散功率，经 100% 雪崩测试，适用于电机驱动、DC-DC 转换器、功率开关与电磁阀驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-3P	900	±30	11	44	300	1.1 Ω	3.0 ~ 5.0	Silicon N-channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	900	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	11	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	44	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.42	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	900	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=5.5A	--	1.1	Ω
I_GSS	栅极-体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=900V；V_GS=0	--	10	µA
V_SD	正向导通电压	I_S=11A；V_GS=0	--	1.4	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC-DC converter）应用。
功率开关 / 电磁阀驱动功率开关（Power switch）与电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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