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FMH08N80E 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：800V（Min）
漏极电流（I_D）：8A @ T_C=25℃
静态导通电阻：R_DS(on)=1.45Ω（Max）@ V_GS=10V
快速开关（Fast Switching）
低批次间波动（Minimum Lot-to-Lot variations）
栅源电压（V_GS）：±30V
工作结温（T_j）：-55 ~ 150℃
封装：TO-220

FMH08N80E 是一款 800V/8A N 沟道高压功率 MOSFET，具有低导通电阻与快速开关特性，适用于高效率开关电源应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	P_D (W)	Structure
TO-220	Single-N	800	±30	8	32	1450	3.0 ~ 5.0	125	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	800	V
V_GSS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	8	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	32	A
P_D	总耗散功率	125	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	800	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=4A	--	1.45	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=800V；V_GS=0V	--	10	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=8A；V_GS=0V	--	1.4	V

应用

开关电源高效率开关电源（High Efficiency Switch Mode Power Supplies）。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器应用。
电机驱动与逆变器电机驱动（Motor Drive）与逆变器系统应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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