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FJL4315 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_CEO）：250V
集电极电流（I_C）：17A
高耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
高特征频率：f_T=30MHz
低饱和压降：V_CE(sat)=3.0V（Max）@ I_C=8A
增益线性度好，低 THD
封装：TO-264

FJL4315 是一款硅 NPN 外延功率三极管，具有 250V/17A 的高耐压大电流能力与优异的增益线性度，适用于高保真音频输出放大器及通用功率放大器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-264	Single-N	250	250	5	17	3.0	55	160	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	250	V
V_CEO	集电极-发射极电压	250	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	17	A
I_B	基极电流	1.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-50 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=5mA；I_E=0	250	--	V
BV_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	250	--	V
BV_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=5mA；I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=230V；I_E=0	--	5.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=7A；V_CE=5V	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=7A；V_CE=5V	--	1.5	V

h_FE 分档

档位	R	O
h_FE 范围	55-110	80-160

应用

高保真音频输出放大器高保真音频输出放大器（High-Fidelity Audio Output Amplifier）。
通用功率放大器通用功率放大器（General Purpose Power Amplifier）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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