当前位置：首页 / 产品 / FRD 单管

FFD10UP20S 国产替代Ultrafast Rectifier

Ultrafast Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：10A @ T_C=115℃
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：100A（60Hz 单半正弦波）
低正向压降：V_F=1.15V（Max）@ I_F=10A
超快软恢复：t_rr=20.8ns（Typ）@ I_F=10A
反向恢复电荷（Q_rr）：28.5nC
雪崩能量额定（W_AVL）：10mJ，UIS 能力强
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.0℃/W
封装：TO-252（D-PAK）（1 阴极 / 2 阳极）

FFD10UP20S 是一款 200V/10A 超快恢复二极管，采用 TO-252（D-PAK）贴片封装，具有 1.15V 的低正向压降、20.8ns 的超快软恢复特性与 10mJ 的雪崩能量能力，适用于开关电源、功率开关电路、输出整流与续流等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	t_rr (ns)	T_j (℃)	Structure
TO-252 (D-PAK)	Single	200	10	100	1.15	20.8	150	Silicon Ultrafast

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流 @ T_C=115℃	10	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（60Hz 单半正弦波）	100	A
T_J, T_stg	工作结温与存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.0	℃/W

电气特性（脉冲测试：脉宽 300µs，占空比 2%）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大瞬时正向电压	I_F=10A；T_C=25℃	--	1.15	V
V_F	最大瞬时正向电压	I_F=10A；T_C=100℃	--	1.10	V
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=额定 V_R；T_C=25℃	--	100	µA
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=额定 V_R；T_C=100℃	--	500	µA
t_rr	反向恢复时间	I_F=10A；dI_F/dt=200A/µs	--	20.8	ns
t_rr	最大反向恢复时间	I_F=1A；dI_F/dt=100A/µs	--	35	ns
I_rr	反向恢复电流	I_F=10A；dI_F/dt=200A/µs	--	2.8	A
Q_rr	反向恢复电荷	I_F=10A；dI_F/dt=200A/µs	--	28.5	nC
W_AVL	雪崩能量	L=40mH	10	--	mJ

应用

开关电源 / SMPS开关电源（SMPS）与功率开关电路应用。
输出整流输出整流（Output rectifiers）应用。
续流二极管续流与钳位（Freewheeling diodes）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号