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FDL100N50F 国产替代Silicon N-Channel MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：500V（Min）
漏极电流（I_D）：100A @ T_C=25℃（60A @ T_C=100℃）
导通电阻：R_DS(on)=55mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=50A
栅源电压（V_GSS）：±30V
总耗散功率（P_D）：2500W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0V
栅极驱动要求低、易于驱动
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-247

FDL100N50F 是一款硅 N 沟道功率 MOSFET，具有 500V/100A 的电压电流能力与 55mΩ 的低导通电阻，栅极驱动要求低、经 100% 雪崩测试，适用于开关电源、UPS 与 AC-DC 电源等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-247	500	±30	100	400	2500	55 mΩ	3.0 ~ 5.0	Silicon N-channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GSS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	100	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=100℃	60	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	400	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	2500	W
T_j	工作结温	-50 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-50 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道-壳热阻	0.05	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3.0	5.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=50A	--	55	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±0.1	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=500V；V_GS=0V；T_C=25℃	--	10	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=400V；V_GS=0V；T_C=125℃	--	100	µA
V_SDF	二极管正向电压	I_SD=100A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

开关应用开关（Switching）应用。
不间断电源不间断电源（UPS）应用。
AC-DC 电源AC-DC 电源（AC-DC Power Supply）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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