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FDH44N50N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：500V（Min）
漏极电流（I_D）：44A @ T_C=25℃，脉冲 176A
低导通电阻：R_DS(on)≤0.12Ω @ V_GS=10V，I_D=22A
漏极耗散功率（P_D）：625W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2~4V
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

FDH44N50 是一款硅 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 500V/44A 的电压电流能力与 0.12Ω 的低导通电阻，开关速度快、驱动功率小，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、开关电源与电磁阀驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-247	N-Channel	500	±30	44	176	625	0.12	2 ~ 4	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	44	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	176	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	625	W
T_J	最高工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.2	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	500	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=0.25mA	2	4	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=22A	--	0.12	Ω
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±0.1	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=500V；V_GS=0	--	25	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=44A；V_GS=0	--	1.2	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
开关电源功率开关与开关电源（Power switch）应用。
电磁阀驱动电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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