FDD8876 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：30V（Min）
漏极电流 I_D：73A @ T_C=25℃
脉冲漏极电流 I_DM：292A
导通电阻 R_DS(on)：8.2mΩ（Max）@ V_GS=10V，10mΩ @ V_GS=4.5V
总耗散功率 P_D：70W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-252（DPAK）

FDD8876 是一款 30V/73A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 PowerTrench 工艺，导通电阻低至 8.2mΩ、栅极电荷小、开关速度快，适用于同步整流型 DC-DC 转换器、电机驱动及电源开关等场合，为安森美（onsemi / 原 Fairchild）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (mΩ)	P_D (W)	T_j (℃)
TO-252	30	73	8.2	70	-55 ~ 175

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	30	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	73	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	292	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	70	W
T_J	最高工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	2.14	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	30	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	1.2	2.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=35A	--	8.2	mΩ
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=4.5V；I_D=35A	--	10	mΩ
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=24V；V_GS=0V	--	1.0	µA
V_SD	源漏正向电压	I_S=35A；V_GS=0V	--	1.25	V
V_SD	源漏正向电压	I_S=15A；V_GS=0V	--	1.0	V

应用

DC-DC 转换器同步整流与常规 PWM 型 DC-DC 功率变换。
电机驱动直流电机、步进电机驱动。
电源开关电源通断与负载开关。
电磁阀驱动电磁阀、螺线管驱动（Solenoid drive）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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