FDD13AN06A0 国产替代N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel PowerTrench MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

类型：N 沟道功率 MOSFET（PowerTrench 工艺）
漏-源电压（V_DSS）：60V
栅-源电压（V_GS）：±20V
连续漏极电流（I_D）：50A @ T_C<80℃；9.9A @ T_A=25℃（R_θJA=52℃/W）
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：13.5mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=50A
栅极阈值电压（V_GS(TH)）：2.0 ~ 4.0V
单脉冲雪崩能量（E_AS）：56mJ；具备 UIS 雪崩耐受能力
总耗散功率（P_D）：115W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_θJC）：1.3℃/W
封装：DPAK（TO-252）

FDD13AN06A0 是一款 N 沟道 PowerTrench 功率 MOSFET，具有低导通电阻、低栅电荷、低 Miller 电容与低 Qrr 体二极管特性，并具备单脉冲与重复脉冲雪崩耐受能力（UIS），适用于消费电器、LED 电视、同步整流、电池保护电路、电机驱动与不间断电源（UPS）等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds(on)	Rth(j-c)	PD (W)	Technology
DPAK (TO-252)	Single-N	60	±20	2.0~4.0	50	13.5 (mΩ)	1.3 (℃/W)	115	PowerTrench MOSFET

绝对最大额定值（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	60	V
V_GS	栅-源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C<80℃，V_GS=10V	50	A
I_D	漏极电流（连续）@ T_A=25℃，R_θJA=52℃/W	9.9	A
E_AS	单脉冲雪崩能量	56	mJ
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	115	W
T_J / T_STG	工作与存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻（Max，D-PAK）	1.3	℃/W
R_θJA	结-环境热阻（Max，D-PAK）	100	℃/W
R_θJA	结-环境热阻（Max，D-PAK，1 in² 铜箔）	52	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	I_D=250µA，V_GS=0V	60	--	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=50V，V_GS=0V	--	--	1	µA
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=50V，V_GS=0V，T_C=150℃	--	--	250	µA
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±20V	--	--	±100	nA
V_GS(TH)	栅极阈值电压	V_GS=V_DS，I_D=250µA	2.0	--	4.0	V
R_DS(on)①	漏-源导通电阻	I_D=50A，V_GS=10V	--	11.5	13.5	mΩ
R_DS(on)②	漏-源导通电阻	I_D=25A，V_GS=6V	--	22	34	mΩ
R_DS(on)③	漏-源导通电阻	I_D=50A，V_GS=10V，T_J=175℃	--	26	30	mΩ
V_SD①	体二极管正向导通压降	I_SD=50A	--	--	1.25	V
V_SD②	体二极管正向导通压降	I_SD=25A	--	--	1.0	V

应用

消费电器消费类电器功率电路。
LED 电视LED 电视电源与背光电路。
同步整流同步整流功率级。
电池保护电路电池保护开关。
电机驱动与 UPS电机驱动及不间断电源功率变换。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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