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FDA20N50 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：500V（Min）
漏极电流（I_D）：22A @ T_C=25℃
静态导通电阻：R_DS(on)=0.26Ω（Max）@ V_GS=10V
100% 雪崩测试（100% avalanche tested）
单脉冲漏极电流（I_DM）：88A
总耗散功率（P_D）：388W
沟道-壳热阻（R_th(ch-c)）：0.32℃/W
封装：TO-3P（高压功率封装）

FDA20N50 是一款 500V/22A N 沟道高压功率 MOSFET，具有低导通电阻与 100% 雪崩测试特性，适用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关与电磁阀驱动应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	P_D (W)	Structure
TO-3P	Single-N	500	±30	22	88	260	3.0 ~ 5.0	388	N-Channel MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	500	V
V_GSS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	22	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	88	A
P_D	总耗散功率	388	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道-壳热阻	0.32	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	500	-	-	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	3	-	5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=11A	-	-	0.26	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	-	-	±100	nA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=500V；V_GS=0V	-	-	10	µA
V_SD	二极管正向压降	I_SD=22A；V_GS=0V	-	-	1.5	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor Drive）应用。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器应用。
电源开关与电磁阀驱动电源开关（Power Switch）与电磁阀驱动（Solenoid Drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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