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DSTB60100C 国产替代Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

反向重复峰值电压（V_RRM）：100V
平均整流电流（I_F(AV)）：30A（每管）/ 60A（整管）@ T_C=105℃
正向浪涌电流（I_FSM）：300A @ 8.3ms 单半波（每管）
正向压降（V_F）：0.68V（Max）@ I_F=15A，T_j=25℃
正向压降（V_F）：0.90V（Max）@ I_F=30A，T_j=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2℃/W
最高结温（T_j）：150℃
共阴双管结构，超低正向压降
封装：TO-263（D²PAK）

DSTB60100C 是一款 100V / 60A 的超低正向压降肖特基整流二极管，采用 TO-263（D²PAK）共阴双管封装，正向压降低、开关速度快、结温能力高，适用于开关电源、DC-DC 变换器、续流与极性保护电路。

参数

核心参数表

Package	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	T_j (℃)	Configuration
TO-263	100	30×2	300	0.90	150	Dual Common Cathode

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	反向重复峰值电压	100	V
I_F(AV)	平均整流输出电流（整管）@ T_C=105℃	60	A
I_FSM	正向浪涌电流 @ 8.3ms 半正弦（每管）	300	A
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	正向压降	I_F=15A；T_j=25℃	--	0.68	V
V_F	正向压降	I_F=30A；T_j=25℃	--	0.90	V
I_R	反向漏电流	V_R=100V；T_j=25℃	--	1	mA
I_R	反向漏电流	V_R=100V；T_j=125℃	--	75	mA

应用

开关电源整流SMPS 输出整流级，降低导通损耗。
DC-DC 变换器低压高频变换器的整流与续流。
续流二极管逆变与斩波电路的续流回路。
极性保护电源输入端防反接保护。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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