当前位置：首页 / 产品 / MOSFET 单管

DMT10H009LK3 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：100V
漏极电流（I_D）：90A @ T_C=25℃（脉冲 360A）
低导通电阻：R_DS(on)≤9mΩ @ V_GS=10V，I_D=20A
R_DS(on)≤13mΩ @ V_GS=4.5V，I_D=5A（逻辑电平驱动）
栅极阈值电压（V_GS(th)）：1.0 ~ 3.0V
TO-252（DPAK）贴片封装

低导通电阻 100V N 沟道 MOSFET，适合电机驱动与大电流 DC-DC。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω/mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-252(DPAK)	N	100	±20	90	360	114	9mΩ	1.0~3.0	Trench

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	100	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	90	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	360	A
P_D	总耗散功率 T_C=25℃	114	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thj-c	结到壳热阻	1.1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V; I_D=1mA	100	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=80V; V_GS=0V	--	1.0	µA
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±20V; V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS; I_D=0.25A	1.0	3.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V; I_D=20A	--	9	mΩ
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=4.5V; I_D=5A	--	13	mΩ
V_SD	二极管正向压降	I_S=20A; V_GS=0V	--	1.3	V

开关特性（典型值）

符号	参数	测试条件	典型值	单位
t_d(on)	开通延迟时间	V_DD=50V; I_D=20A; R_G=3Ω	5.5	ns
t_r	开通上升时间	V_DD=50V; I_D=20A; R_G=3Ω	10.5	ns
t_d(off)	关断延迟时间	V_DD=50V; I_D=20A; R_G=3Ω	28.2	ns
t_f	关断下降时间	V_DD=50V; I_D=20A; R_G=3Ω	15	ns

应用

电机驱动低压大电流电机驱动桥臂，9mΩ 导通电阻降低通态损耗。
DC-DC 转换器同步整流与主开关级，适合高电流密度设计。
电源开关与负载切换电池供电系统的功率路径管理。
电磁阀驱动线圈驱动与续流控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号