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DHG20C1200PBFast Recovery Diode

Fast Recovery Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复反向峰值电压（V_RRM）：1200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：2 × 10A @ T_C=105℃
正向均方根电流（I_F(RMS)）：35A
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：60A
极短反向恢复时间（t_rr）：200ns（典型）
极低漏电流、软恢复特性，降低 EMI/RFI
封装：TO-220（双管共阴，阳极 1/2、共阴极 3）

DHG20C1200PB 是一款双管共阴快恢复二极管（1 对共阴，每臂 10A），采用 TO-220 封装，具有 1200V 反向耐压与 200ns 的极短反向恢复时间，漏电流低、恢复特性软，适用于开关电源整流、续流二极管、抗饱和二极管与 UPS 等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_F(RMS) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	t_rr (ns)	T_J (℃)
TO-220	Dual CC	1200	2 × 10	35	60	2.2	200	-55 ~ 150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复反向峰值电压	1200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流 @ T_C=105℃	2 × 10	A
I_F(RMS)	正向均方根电流	35	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（t=10ms，50Hz，正弦）	60	A
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=10A；T_J=25℃	--	2.2	V
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=20A；T_J=25℃	--	2.93	V
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=10A；T_J=125℃	--	2.23	V
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=20A；T_J=125℃	--	3.14	V
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=V_RRM；T_J=25℃	--	10	µA
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=V_RRM；T_J=125℃	--	200	µA
t_rr	最大反向恢复时间	I_F=10A；di_F/dt=250A/µs；V_R=600V	--	200（Typ）	ns

应用

抗饱和二极管抗饱和二极管（Antisaturation diode）应用。
续流二极管续流二极管（Free wheeling diode）应用。
开关电源整流开关模式电源（SMPS）整流应用。
UPS 不间断电源不间断电源（UPS）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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